2ED2106S06FXUMA1 vs IRS21834STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2ED2106S06FXUMA1 par Infineon et IRS21834STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2ED2106S06FXUMA1 IRS21834STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,78 $1,45
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) Half-Bridge
Source Current (typ.) 0.29 A 1.9 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 2.3 A
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns 200 ns
Nombre de sorties 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Number of Drivers 2 2 (high-side + low-side)
Nombre de broches 8 —
Boîtier PG-DSO-8-69 (DSO-8) 14-SOIC (SOIC-14)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
Plage de température de fonctionnement -40C to +125C -40C to +125C
Packaging Tape & Reel —
Type de sortie Half-Bridge, Non-Inverting —
Input Logic — Inverting, Non-Inverting with Shutdown
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 600 V
Gate Drive Supply (VCC, VBS) — 10 V to 20 V
Delay Matching (max) — ±50 ns
Undervoltage Lockout (VCC, VBS) — Yes
Negative Transient Voltage Tolerance — dV/dt immune
Niveau MSL — 1 (unlimited)
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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