2ED2106S06FXUMA1 vs IRS21834STRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: 2ED2106S06FXUMA1 제조: Infineon 및 IRS21834STRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 2ED2106S06FXUMA1 IRS21834STRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.78 $1.45
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) Half-Bridge
Source Current (typ.) 0.29 A 1.9 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 2.3 A
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns 200 ns
출력 수 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Number of Drivers 2 2 (high-side + low-side)
핀 수 8 —
패키지 PG-DSO-8-69 (DSO-8) 14-SOIC (SOIC-14)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
동작 온도 범위 -40C to +125C -40C to +125C
Packaging Tape & Reel —
출력 유형 Half-Bridge, Non-Inverting —
Input Logic — Inverting, Non-Inverting with Shutdown
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 600 V
Gate Drive Supply (VCC, VBS) — 10 V to 20 V
Delay Matching (max) — ±50 ns
Undervoltage Lockout (VCC, VBS) — Yes
Negative Transient Voltage Tolerance — dV/dt immune
MSL 레벨 — 1 (unlimited)
RoHS 상태 — Compliant
Lead-Free — Yes

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