2ED2106S06FXUMA1 vs IRS21834STRPBF 比較

詳細な並列比較: 2ED2106S06FXUMA1 メーカー: Infineon および IRS21834STRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ 生産中
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IRS21834STRPBF IRS21834STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS21834STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS21834STRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 2ED2106S06FXUMA1 IRS21834STRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.78 $1.45
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) Half-Bridge
Source Current (typ.) 0.29 A 1.9 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 2.3 A
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns 200 ns
出力数 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Number of Drivers 2 2 (high-side + low-side)
ピン数 8 —
パッケージ PG-DSO-8-69 (DSO-8) 14-SOIC (SOIC-14)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
動作温度範囲 -40C to +125C -40C to +125C
Packaging Tape & Reel —
出力タイプ Half-Bridge, Non-Inverting —
Input Logic — Inverting, Non-Inverting with Shutdown
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 600 V
Gate Drive Supply (VCC, VBS) — 10 V to 20 V
Delay Matching (max) — ±50 ns
Undervoltage Lockout (VCC, VBS) — Yes
Negative Transient Voltage Tolerance — dV/dt immune
MSLレベル — 1 (unlimited)
RoHS ステータス — Compliant
Lead-Free — Yes

データシート&リソース

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