2ED21834S06JXUMA1 vs 1EDI20N12AFXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2ED21834S06JXUMA1 von Infineon und 1EDI20N12AFXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2ED21834S06JXUMA1 1EDI20N12AFXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,89 $1,45
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Maximum Offset Voltage (VBS) 650 V —
Typical Sink Current 2.5 A —
Typical Source Current 2.5 A —
Input Logic Non-Inverting —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Gehäuse PG-DSO-14-49 (DSO-14) PG-DSO-8-51 (DSO-8, 8-pin, narrow body)
Anzahl der Pins 14 —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -40 °C to +125 °C -40 °C to +125 °C
RoHS-Status Compliant —
Standard Reel Quantity 3000 —
Driver Configuration — Single high-side, isolated
Isolation Type — Galvanic (coreless transformer), reinforced
Number of Channels — 1
Maximum Supply Voltage (Output Side) — 17 V
Minimum Supply Voltage (Output Side) — 3.1 V
Peak Source Current — 4.0 A (typical)
Peak Sink Current — 3.5 A (typical)
Working Voltage (Isolation) — 1200 V (high-side rail reference)
Propagation Delay — 120 ns (typical)
Ausgangskonfiguration — Separate source and sink pins
Short-Circuit Clamping — Yes (built-in)
MSL-Level — 2 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance — Compliant
Lead-Free — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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