2ED21834S06JXUMA1 vs 1EDI20N12AFXUMA1 比較

詳細な並列比較: 2ED21834S06JXUMA1 メーカー: Infineon および 1EDI20N12AFXUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
2ED21834S06JXUMA1 2ED21834S06JXUMA1 - 650V 2.5A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED21834S06JXUMA1 - 650V 2.5A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED21834S06JXUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 2ED21834S06JXUMA1 1EDI20N12AFXUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.89 $1.45
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Maximum Offset Voltage (VBS) 650 V —
Typical Sink Current 2.5 A —
Typical Source Current 2.5 A —
Input Logic Non-Inverting —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
パッケージ PG-DSO-14-49 (DSO-14) PG-DSO-8-51 (DSO-8, 8-pin, narrow body)
ピン数 14 —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -40 °C to +125 °C -40 °C to +125 °C
RoHS ステータス Compliant —
Standard Reel Quantity 3000 —
Driver Configuration — Single high-side, isolated
Isolation Type — Galvanic (coreless transformer), reinforced
Number of Channels — 1
Maximum Supply Voltage (Output Side) — 17 V
Minimum Supply Voltage (Output Side) — 3.1 V
Peak Source Current — 4.0 A (typical)
Peak Sink Current — 3.5 A (typical)
Working Voltage (Isolation) — 1200 V (high-side rail reference)
Propagation Delay — 120 ns (typical)
出力構成 — Separate source and sink pins
Short-Circuit Clamping — Yes (built-in)
MSLレベル — 2 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance — Compliant
Lead-Free — Yes

データシート&リソース

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