2ED21834S06JXUMA1 vs 1EDI20N12AFXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2ED21834S06JXUMA1 por Infineon y 1EDI20N12AFXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2ED21834S06JXUMA1 1EDI20N12AFXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,89 $1,45
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Maximum Offset Voltage (VBS) 650 V —
Typical Sink Current 2.5 A —
Typical Source Current 2.5 A —
Input Logic Non-Inverting —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Encapsulado PG-DSO-14-49 (DSO-14) PG-DSO-8-51 (DSO-8, 8-pin, narrow body)
Número de pines 14 —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -40 °C to +125 °C -40 °C to +125 °C
Estado RoHS Compliant —
Standard Reel Quantity 3000 —
Driver Configuration — Single high-side, isolated
Isolation Type — Galvanic (coreless transformer), reinforced
Number of Channels — 1
Maximum Supply Voltage (Output Side) — 17 V
Minimum Supply Voltage (Output Side) — 3.1 V
Peak Source Current — 4.0 A (typical)
Peak Sink Current — 3.5 A (typical)
Working Voltage (Isolation) — 1200 V (high-side rail reference)
Propagation Delay — 120 ns (typical)
Configuración de salida — Separate source and sink pins
Short-Circuit Clamping — Yes (built-in)
Nivel MSL — 2 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance — Compliant
Lead-Free — Yes

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