2ED21834S06JXUMA1 vs 1EDI20N12AFXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2ED21834S06JXUMA1 por Infineon e 1EDI20N12AFXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2ED21834S06JXUMA1 1EDI20N12AFXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,89 $1,45
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Maximum Offset Voltage (VBS) 650 V —
Typical Sink Current 2.5 A —
Typical Source Current 2.5 A —
Input Logic Non-Inverting —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Encapsulamento PG-DSO-14-49 (DSO-14) PG-DSO-8-51 (DSO-8, 8-pin, narrow body)
Número de pinos 14 —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -40 °C to +125 °C -40 °C to +125 °C
Status RoHS Compliant —
Standard Reel Quantity 3000 —
Driver Configuration — Single high-side, isolated
Isolation Type — Galvanic (coreless transformer), reinforced
Number of Channels — 1
Maximum Supply Voltage (Output Side) — 17 V
Minimum Supply Voltage (Output Side) — 3.1 V
Peak Source Current — 4.0 A (typical)
Peak Sink Current — 3.5 A (typical)
Working Voltage (Isolation) — 1200 V (high-side rail reference)
Propagation Delay — 120 ns (typical)
Configuração de saída — Separate source and sink pins
Short-Circuit Clamping — Yes (built-in)
Nível MSL — 2 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance — Compliant
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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