2ED21834S06JXUMA1 vs 1EDI20N12AFXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2ED21834S06JXUMA1 par Infineon et 1EDI20N12AFXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2ED21834S06JXUMA1 1EDI20N12AFXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,89 $1,45
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Maximum Offset Voltage (VBS) 650 V —
Typical Sink Current 2.5 A —
Typical Source Current 2.5 A —
Input Logic Non-Inverting —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Boîtier PG-DSO-14-49 (DSO-14) PG-DSO-8-51 (DSO-8, 8-pin, narrow body)
Nombre de broches 14 —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -40 °C to +125 °C -40 °C to +125 °C
Statut RoHS Compliant —
Standard Reel Quantity 3000 —
Driver Configuration — Single high-side, isolated
Isolation Type — Galvanic (coreless transformer), reinforced
Number of Channels — 1
Maximum Supply Voltage (Output Side) — 17 V
Minimum Supply Voltage (Output Side) — 3.1 V
Peak Source Current — 4.0 A (typical)
Peak Sink Current — 3.5 A (typical)
Working Voltage (Isolation) — 1200 V (high-side rail reference)
Propagation Delay — 120 ns (typical)
Configuration de sortie — Separate source and sink pins
Short-Circuit Clamping — Yes (built-in)
Niveau MSL — 2 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance — Compliant
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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