2ED2304S06FXUMA1 vs 2ED2304S06F Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2ED2304S06FXUMA1 von Infineon und 2ED2304S06F von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2ED2304S06FXUMA1 2ED2304S06F
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,66 $0,98
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Technology Infineon thin-film SOI Infineon thin-film SOI (Silicon-On-Insulator)
Blocking Voltage (High-Side) 650 V —
Source Current (typ.) 0.36 A 0.36 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 0.7 A
Input Logic Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger) —
VCC Supply Range 10 V to 17 V —
Bootstrap Diode Integrated (BSD) —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB-VS) —
Interlock / Anti-Shoot-Through Built-in —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
Gehäuse PG-DSO-8-910 (DSO-8) PG-DSO-8-910 (DSO-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 2 —
RoHS-Status Compliant Compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Topologie — High-side + Low-side, half-bridge
Maximum Blocking Voltage (High-Side) — 650 V
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Logic Input Compatibility — 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt trigger with hysteresis, pull-down)
Input Pins — LIN (low-side in), HIN (high-side in)
Shoot-Through Protection — Built-in interlock logic
Pin-Anzahl — 8
Target Power Devices — IGBTs and power MOSFETs
Betriebstemperatur — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

Datenblätter & Ressourcen

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