2ED2304S06FXUMA1 vs 2ED2304S06F Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2ED2304S06FXUMA1 por Infineon y 2ED2304S06F por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
2ED2304S06FXUMA1 2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro 2ED2304S06FXUMA1 2ED2304S06F
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,66 $0,98
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Technology Infineon thin-film SOI Infineon thin-film SOI (Silicon-On-Insulator)
Blocking Voltage (High-Side) 650 V —
Source Current (typ.) 0.36 A 0.36 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 0.7 A
Input Logic Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger) —
VCC Supply Range 10 V to 17 V —
Bootstrap Diode Integrated (BSD) —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB-VS) —
Interlock / Anti-Shoot-Through Built-in —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Encapsulado PG-DSO-8-910 (DSO-8) PG-DSO-8-910 (DSO-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 2 —
Estado RoHS Compliant Compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Topología — High-side + Low-side, half-bridge
Maximum Blocking Voltage (High-Side) — 650 V
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Logic Input Compatibility — 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt trigger with hysteresis, pull-down)
Input Pins — LIN (low-side in), HIN (high-side in)
Shoot-Through Protection — Built-in interlock logic
Recuento de pines — 8
Target Power Devices — IGBTs and power MOSFETs
Temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

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