2ED2304S06FXUMA1 vs 2ED2304S06F Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2ED2304S06FXUMA1 par Infineon et 2ED2304S06F par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2ED2304S06FXUMA1 2ED2304S06F
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,66 $0,98
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Technology Infineon thin-film SOI Infineon thin-film SOI (Silicon-On-Insulator)
Blocking Voltage (High-Side) 650 V —
Source Current (typ.) 0.36 A 0.36 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 0.7 A
Input Logic Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger) —
VCC Supply Range 10 V to 17 V —
Bootstrap Diode Integrated (BSD) —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB-VS) —
Interlock / Anti-Shoot-Through Built-in —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
Plage de température de fonctionnement -40C to +125C —
Boîtier PG-DSO-8-910 (DSO-8) PG-DSO-8-910 (DSO-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 2 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Topologie — High-side + Low-side, half-bridge
Maximum Blocking Voltage (High-Side) — 650 V
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Logic Input Compatibility — 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt trigger with hysteresis, pull-down)
Input Pins — LIN (low-side in), HIN (high-side in)
Shoot-Through Protection — Built-in interlock logic
Nombre de broches — 8
Target Power Devices — IGBTs and power MOSFETs
Température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

Fiches techniques et ressources

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