2ED2304S06FXUMA1 vs 2ED2304S06F 比較

詳細な並列比較: 2ED2304S06FXUMA1 メーカー: Infineon および 2ED2304S06F メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
2ED2304S06FXUMA1 2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 2ED2304S06FXUMA1 2ED2304S06F
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.66 $0.98
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Technology Infineon thin-film SOI Infineon thin-film SOI (Silicon-On-Insulator)
Blocking Voltage (High-Side) 650 V —
Source Current (typ.) 0.36 A 0.36 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 0.7 A
Input Logic Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger) —
VCC Supply Range 10 V to 17 V —
Bootstrap Diode Integrated (BSD) —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB-VS) —
Interlock / Anti-Shoot-Through Built-in —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
動作温度範囲 -40C to +125C —
パッケージ PG-DSO-8-910 (DSO-8) PG-DSO-8-910 (DSO-8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 2 —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
トポロジー — High-side + Low-side, half-bridge
Maximum Blocking Voltage (High-Side) — 650 V
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Logic Input Compatibility — 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt trigger with hysteresis, pull-down)
Input Pins — LIN (low-side in), HIN (high-side in)
Shoot-Through Protection — Built-in interlock logic
ピン数 — 8
Target Power Devices — IGBTs and power MOSFETs
動作温度 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

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