2ED2304S06FXUMA1 vs 2ED2304S06F Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2ED2304S06FXUMA1 por Infineon e 2ED2304S06F por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2ED2304S06FXUMA1 2ED2304S06F
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,66 $0,98
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Technology Infineon thin-film SOI Infineon thin-film SOI (Silicon-On-Insulator)
Blocking Voltage (High-Side) 650 V —
Source Current (typ.) 0.36 A 0.36 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 0.7 A
Input Logic Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger) —
VCC Supply Range 10 V to 17 V —
Bootstrap Diode Integrated (BSD) —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB-VS) —
Interlock / Anti-Shoot-Through Built-in —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
Faixa de temperatura de operação -40C to +125C —
Encapsulamento PG-DSO-8-910 (DSO-8) PG-DSO-8-910 (DSO-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 2 —
Status RoHS Compliant Compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Topologia — High-side + Low-side, half-bridge
Maximum Blocking Voltage (High-Side) — 650 V
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Logic Input Compatibility — 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt trigger with hysteresis, pull-down)
Input Pins — LIN (low-side in), HIN (high-side in)
Shoot-Through Protection — Built-in interlock logic
Contagem de pinos — 8
Target Power Devices — IGBTs and power MOSFETs
Temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

Fichas técnicas e recursos

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