AS4C512M16D4A-62BIN vs K4A8G165WB-BIWE Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von AS4C512M16D4A-62BIN von Alliance Memory und K4A8G165WB-BIWE von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | AS4C512M16D4A-62BIN | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marke | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $8,10 | $14,22 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Rate | 1600 MHz | — |
| Datenrate | 3200 Mbps per pin | 3200 Mbps |
| Versorgungsspannung | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) | 1.2 V |
| Betriebstemperatur | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C |
| Gehäuse | 96-FBGA (7.5x13mm) | 96-ball FBGA |
| Schnittstelle | POD (Pseudo Open Drain) | Parallel |
| CAS-Latenz | Programmable (e.g., 22 cycles) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8, 16 |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | Auto-refresh, Self-refresh |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead Free | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Anzahl der Pins | — | 96 |