AS4C512M16D4A-62BIN vs K4A8G165WB-BIWE 比較
詳細な並列比較: AS4C512M16D4A-62BIN メーカー: Alliance Memory および K4A8G165WB-BIWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | AS4C512M16D4A-62BIN | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| ブランド | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $8.10 | $14.22 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 8 Gbit | — |
| メモリ構成 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Rate | 1600 MHz | — |
| データレート | 3200 Mbps per pin | 3200 Mbps |
| 電源電圧 | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) | 1.2 V |
| 動作温度 | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C |
| パッケージ | 96-FBGA (7.5x13mm) | 96-ball FBGA |
| インターフェース | POD (Pseudo Open Drain) | Parallel |
| CASレイテンシ | Programmable (e.g., 22 cycles) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8, 16 |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | Auto-refresh, Self-refresh |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead Free | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| On-Die Termination | — | Yes |
| ピン数 | — | 96 |