AS4C512M16D4A-62BIN vs K4A8G165WB-BIWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de AS4C512M16D4A-62BIN par Alliance Memory et K4A8G165WB-BIWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | AS4C512M16D4A-62BIN | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marque | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,10 | $14,22 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Rate | 1600 MHz | — |
| Débit de données | 3200 Mbps per pin | 3200 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) | 1.2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C |
| Boîtier | 96-FBGA (7.5x13mm) | 96-ball FBGA |
| Interface | POD (Pseudo Open Drain) | Parallel |
| Latence CAS | Programmable (e.g., 22 cycles) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8, 16 |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | Auto-refresh, Self-refresh |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead Free | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Nombre de broches | — | 96 |