AS4C512M16D4A-62BIN vs K4A8G165WB-BIWE Сравнение
Подробное сравнение бок о бок AS4C512M16D4A-62BIN от Alliance Memory и K4A8G165WB-BIWE от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | AS4C512M16D4A-62BIN | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| Бренд | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $8,10 | $14,22 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 8 Gbit | — |
| Организация памяти | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Rate | 1600 MHz | — |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps per pin | 3200 Mbps |
| Напряжение питания | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) | 1.2 V |
| Рабочая температура | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C |
| Корпус | 96-FBGA (7.5x13mm) | 96-ball FBGA |
| Интерфейс | POD (Pseudo Open Drain) | Parallel |
| Задержка CAS | Programmable (e.g., 22 cycles) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8, 16 |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | Auto-refresh, Self-refresh |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead Free | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Количество выводов | — | 96 |