AS4C512M16D4A-62BIN vs K4A8G165WB-BIWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de AS4C512M16D4A-62BIN por Alliance Memory y K4A8G165WB-BIWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | AS4C512M16D4A-62BIN | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,10 | $14,22 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gbit | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Rate | 1600 MHz | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps per pin | 3200 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) | 1.2 V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C |
| Encapsulado | 96-FBGA (7.5x13mm) | 96-ball FBGA |
| Interfaz | POD (Pseudo Open Drain) | Parallel |
| Latencia CAS | Programmable (e.g., 22 cycles) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8, 16 |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | Auto-refresh, Self-refresh |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead Free | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Número de pines | — | 96 |