BGA7L1N6E6327XTSA1 vs BGA7L1N6E6327XT Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von BGA7L1N6E6327XTSA1 von Infineon und BGA7L1N6E6327XT von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | BGA7L1N6E6327XTSA1 | BGA7L1N6E6327XT |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | Infineon |
| Kategorie | RF Amplifiers | RF Amplifiers |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,42 | $0,36 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BGA7L1N6E6327XTSA1 | — |
| Funktion | RF Low Noise Amplifier (LNA) MMIC | — |
| Technology | Silicon Germanium (SiGe) | Silicon Germanium (SiGe) |
| Frequency Range | 728 MHz to 960 MHz | 728 MHz to 960 MHz |
| Insertion Power Gain | 13.3 dB (typical) | 13.3 dB |
| Noise Figure | 0.90 dB (typical) | — |
| Versorgungsspannung | 1.5 V to 3.3 V | 1.5 V to 3.3 V |
| Versorgungsstrom | 4.4 mA (typical) | 4.4 mA (typical) |
| Control Logic | Digital on/off switch, 1 V logic-high enable | Digital on/off switch, 1 V logic level |
| Input/Output Impedance | Internally matched to 50 ohm | — |
| Gehäuse | TSNP-6-2 (PG-TSNP-6-2), 0.7 mm x 1.1 mm | TSNP-6-2 (leadless) |
| Betriebstemperatur | -40 C to +85 C | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Standard Pack Quantity | 15,000 (reel) | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Target Application | LTE low-band (700/800/900 MHz) receiver front-end | — |
| Type | — | Low Noise Amplifier (LNA) MMIC |
| Noise Figure (NF) | — | 0.90 dB |
| Package Footprint | — | 0.7 mm x 1.1 mm |
| Betriebstemperaturbereich | — | -40C to +85C |
| Topologie | — | Single-stage with on-chip matching and bypass |
| Application Band | — | LTE Band 8 / 12 / 13 / 20 (sub-1 GHz) |