BGA7L1N6E6327XTSA1 vs BGA7L1N6E6327XT Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BGA7L1N6E6327XTSA1 por Infineon e BGA7L1N6E6327XT por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BGA7L1N6E6327XTSA1 | BGA7L1N6E6327XT |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | RF Amplifiers | RF Amplifiers |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,42 | $0,36 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BGA7L1N6E6327XTSA1 | — |
| Função | RF Low Noise Amplifier (LNA) MMIC | — |
| Technology | Silicon Germanium (SiGe) | Silicon Germanium (SiGe) |
| Frequency Range | 728 MHz to 960 MHz | 728 MHz to 960 MHz |
| Insertion Power Gain | 13.3 dB (typical) | 13.3 dB |
| Noise Figure | 0.90 dB (typical) | — |
| Tensão de alimentação | 1.5 V to 3.3 V | 1.5 V to 3.3 V |
| Corrente de alimentação | 4.4 mA (typical) | 4.4 mA (typical) |
| Control Logic | Digital on/off switch, 1 V logic-high enable | Digital on/off switch, 1 V logic level |
| Input/Output Impedance | Internally matched to 50 ohm | — |
| Encapsulamento | TSNP-6-2 (PG-TSNP-6-2), 0.7 mm x 1.1 mm | TSNP-6-2 (leadless) |
| Temperatura de operação | -40 C to +85 C | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Standard Pack Quantity | 15,000 (reel) | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Target Application | LTE low-band (700/800/900 MHz) receiver front-end | — |
| Type | — | Low Noise Amplifier (LNA) MMIC |
| Noise Figure (NF) | — | 0.90 dB |
| Package Footprint | — | 0.7 mm x 1.1 mm |
| Faixa de temperatura de operação | — | -40C to +85C |
| Topologia | — | Single-stage with on-chip matching and bypass |
| Application Band | — | LTE Band 8 / 12 / 13 / 20 (sub-1 GHz) |