BGA7L1N6E6327XTSA1 vs BGA7L1N6E6327XT Comparación
Comparación detallada lado a lado de BGA7L1N6E6327XTSA1 por Infineon y BGA7L1N6E6327XT por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | BGA7L1N6E6327XTSA1 | BGA7L1N6E6327XT |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | RF Amplifiers | RF Amplifiers |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,42 | $0,36 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BGA7L1N6E6327XTSA1 | — |
| Función | RF Low Noise Amplifier (LNA) MMIC | — |
| Technology | Silicon Germanium (SiGe) | Silicon Germanium (SiGe) |
| Frequency Range | 728 MHz to 960 MHz | 728 MHz to 960 MHz |
| Insertion Power Gain | 13.3 dB (typical) | 13.3 dB |
| Noise Figure | 0.90 dB (typical) | — |
| Tensión de alimentación | 1.5 V to 3.3 V | 1.5 V to 3.3 V |
| Corriente de alimentación | 4.4 mA (typical) | 4.4 mA (typical) |
| Control Logic | Digital on/off switch, 1 V logic-high enable | Digital on/off switch, 1 V logic level |
| Input/Output Impedance | Internally matched to 50 ohm | — |
| Encapsulado | TSNP-6-2 (PG-TSNP-6-2), 0.7 mm x 1.1 mm | TSNP-6-2 (leadless) |
| Temperatura de funcionamiento | -40 C to +85 C | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Standard Pack Quantity | 15,000 (reel) | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Target Application | LTE low-band (700/800/900 MHz) receiver front-end | — |
| Type | — | Low Noise Amplifier (LNA) MMIC |
| Noise Figure (NF) | — | 0.90 dB |
| Package Footprint | — | 0.7 mm x 1.1 mm |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -40C to +85C |
| Topología | — | Single-stage with on-chip matching and bypass |
| Application Band | — | LTE Band 8 / 12 / 13 / 20 (sub-1 GHz) |