BGA7L1N6E6327XTSA1 vs BGA7L1N6E6327XT Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BGA7L1N6E6327XTSA1 par Infineon et BGA7L1N6E6327XT par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BGA7L1N6E6327XTSA1 | BGA7L1N6E6327XT |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | RF Amplifiers | RF Amplifiers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,42 | $0,36 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BGA7L1N6E6327XTSA1 | — |
| Fonction | RF Low Noise Amplifier (LNA) MMIC | — |
| Technology | Silicon Germanium (SiGe) | Silicon Germanium (SiGe) |
| Frequency Range | 728 MHz to 960 MHz | 728 MHz to 960 MHz |
| Insertion Power Gain | 13.3 dB (typical) | 13.3 dB |
| Noise Figure | 0.90 dB (typical) | — |
| Tension d'alimentation | 1.5 V to 3.3 V | 1.5 V to 3.3 V |
| Courant d'alimentation | 4.4 mA (typical) | 4.4 mA (typical) |
| Control Logic | Digital on/off switch, 1 V logic-high enable | Digital on/off switch, 1 V logic level |
| Input/Output Impedance | Internally matched to 50 ohm | — |
| Boîtier | TSNP-6-2 (PG-TSNP-6-2), 0.7 mm x 1.1 mm | TSNP-6-2 (leadless) |
| Température de fonctionnement | -40 C to +85 C | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Standard Pack Quantity | 15,000 (reel) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Target Application | LTE low-band (700/800/900 MHz) receiver front-end | — |
| Type | — | Low Noise Amplifier (LNA) MMIC |
| Noise Figure (NF) | — | 0.90 dB |
| Package Footprint | — | 0.7 mm x 1.1 mm |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40C to +85C |
| Topologie | — | Single-stage with on-chip matching and bypass |
| Application Band | — | LTE Band 8 / 12 / 13 / 20 (sub-1 GHz) |