BGA7L1N6E6327XTSA1 vs BGA7L1N6E6327XT 비교
다음의 상세 나란히 비교: BGA7L1N6E6327XTSA1 제조: Infineon 및 BGA7L1N6E6327XT 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BGA7L1N6E6327XTSA1 | BGA7L1N6E6327XT |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | RF Amplifiers | RF Amplifiers |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.42 | $0.36 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BGA7L1N6E6327XTSA1 | — |
| 기능 | RF Low Noise Amplifier (LNA) MMIC | — |
| Technology | Silicon Germanium (SiGe) | Silicon Germanium (SiGe) |
| Frequency Range | 728 MHz to 960 MHz | 728 MHz to 960 MHz |
| Insertion Power Gain | 13.3 dB (typical) | 13.3 dB |
| Noise Figure | 0.90 dB (typical) | — |
| 공급 전압 | 1.5 V to 3.3 V | 1.5 V to 3.3 V |
| 공급 전류 | 4.4 mA (typical) | 4.4 mA (typical) |
| Control Logic | Digital on/off switch, 1 V logic-high enable | Digital on/off switch, 1 V logic level |
| Input/Output Impedance | Internally matched to 50 ohm | — |
| 패키지 | TSNP-6-2 (PG-TSNP-6-2), 0.7 mm x 1.1 mm | TSNP-6-2 (leadless) |
| 동작 온도 | -40 C to +85 C | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Standard Pack Quantity | 15,000 (reel) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Target Application | LTE low-band (700/800/900 MHz) receiver front-end | — |
| Type | — | Low Noise Amplifier (LNA) MMIC |
| Noise Figure (NF) | — | 0.90 dB |
| Package Footprint | — | 0.7 mm x 1.1 mm |
| 동작 온도 범위 | — | -40C to +85C |
| 토폴로지 | — | Single-stage with on-chip matching and bypass |
| Application Band | — | LTE Band 8 / 12 / 13 / 20 (sub-1 GHz) |