BSS138L vs BSS138NH6327XTSA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS138L von onsemi und BSS138NH6327XTSA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS138L BSS138NH6327XTSA2
Marke onsemi Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,02 $0,15
Polarity N-Channel N-Channel
Operating Mode Enhancement Mode Enhancement
VDS Drain-Source Voltage 50 V —
Continuous Drain Current (Ta) 200 mA 230 mA
Power Dissipation (Ta) 350 mW 360 mW
RDS(on) Max 3.5 ohm —
Technology Trench MOSFET, high cell density —
Gate Type Logic Level —
Gehäuse SOT-23-3 PG-SOT-23 (3-pin)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Configuration Single FET —
Switching Performance Fast switching, rugged, reliable —
Eingangskapazität [DATA_NEEDED: Ciss] —
VGS Gate-Source Voltage [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Packaging 3000 units per reel (tape and reel) Tape and Reel
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] —
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 60 V
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 3.5 ohm
Gate Threshold V_GS(th) — [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value]
Gate-Source Voltage V_GS max — ±20 V
dv/dt Rated — Yes
Halogenfrei — Yes (per IEC 61249-2-21)
RoHS Compliance — Compliant
AEC-Q101 Qualification — Qualified
Lead Plating — Pb-free
Marking Code — [DATA_NEEDED: top-side marking code]

Datenblätter & Ressourcen

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