BSS138L vs BSS138NH6327XTSA2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSS138L par onsemi et BSS138NH6327XTSA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSS138L | BSS138NH6327XTSA2 |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,02 | $0,15 |
| Polarity | N-Channel | N-Channel |
| Operating Mode | Enhancement Mode | Enhancement |
| VDS Drain-Source Voltage | 50 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 200 mA | 230 mA |
| Power Dissipation (Ta) | 350 mW | 360 mW |
| RDS(on) Max | 3.5 ohm | — |
| Technology | Trench MOSFET, high cell density | — |
| Gate Type | Logic Level | — |
| Boîtier | SOT-23-3 | PG-SOT-23 (3-pin) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single FET | — |
| Switching Performance | Fast switching, rugged, reliable | — |
| Capacité d'entrée | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| VGS Gate-Source Voltage | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] |
| Packaging | 3000 units per reel (tape and reel) | Tape and Reel |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | — | 60 V |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 3.5 ohm |
| Gate Threshold V_GS(th) | — | [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value] |
| Gate-Source Voltage V_GS max | — | ±20 V |
| dv/dt Rated | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes (per IEC 61249-2-21) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| AEC-Q101 Qualification | — | Qualified |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| Marking Code | — | [DATA_NEEDED: top-side marking code] |