BSS138L vs BSS138NH6327XTSA2 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSS138L от onsemi и BSS138NH6327XTSA2 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

onsemi
BSS138L BSS138L - 50V 200mA N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

BSS138L - 50V 200mA N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

BSS138L ✓ Активен
Infineon
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 - 60V N-Ch MOSFET 230mA SOT-23 | Infineon

BSS138NH6327XTSA2 - 60V N-Ch MOSFET 230mA SOT-23 | Infineon

BSS138NH6327XTSA2 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSS138L BSS138NH6327XTSA2
Бренд onsemi Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,02 $0,15
Polarity N-Channel N-Channel
Operating Mode Enhancement Mode Enhancement
VDS Drain-Source Voltage 50 V —
Continuous Drain Current (Ta) 200 mA 230 mA
Power Dissipation (Ta) 350 mW 360 mW
RDS(on) Max 3.5 ohm —
Technology Trench MOSFET, high cell density —
Gate Type Logic Level —
Корпус SOT-23-3 PG-SOT-23 (3-pin)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Configuration Single FET —
Switching Performance Fast switching, rugged, reliable —
Входная ёмкость [DATA_NEEDED: Ciss] —
VGS Gate-Source Voltage [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Packaging 3000 units per reel (tape and reel) Tape and Reel
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 60 V
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 3.5 ohm
Gate Threshold V_GS(th) — [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value]
Gate-Source Voltage V_GS max — ±20 V
dv/dt Rated — Yes
Без галогенов — Yes (per IEC 61249-2-21)
RoHS Compliance — Compliant
AEC-Q101 Qualification — Qualified
Lead Plating — Pb-free
Marking Code — [DATA_NEEDED: top-side marking code]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену