BSS138L vs BSS138NH6327XTSA2 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSS138L 제조: onsemi 및 BSS138NH6327XTSA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 - 60V N-Ch MOSFET 230mA SOT-23 | Infineon

BSS138NH6327XTSA2 - 60V N-Ch MOSFET 230mA SOT-23 | Infineon

BSS138NH6327XTSA2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSS138L BSS138NH6327XTSA2
브랜드 onsemi Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.02 $0.15
Polarity N-Channel N-Channel
Operating Mode Enhancement Mode Enhancement
VDS Drain-Source Voltage 50 V —
Continuous Drain Current (Ta) 200 mA 230 mA
Power Dissipation (Ta) 350 mW 360 mW
RDS(on) Max 3.5 ohm —
Technology Trench MOSFET, high cell density —
Gate Type Logic Level —
패키지 SOT-23-3 PG-SOT-23 (3-pin)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Configuration Single FET —
Switching Performance Fast switching, rugged, reliable —
입력 커패시턴스 [DATA_NEEDED: Ciss] —
VGS Gate-Source Voltage [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Packaging 3000 units per reel (tape and reel) Tape and Reel
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] —
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 60 V
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 3.5 ohm
Gate Threshold V_GS(th) — [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value]
Gate-Source Voltage V_GS max — ±20 V
dv/dt Rated — Yes
할로겐 프리 — Yes (per IEC 61249-2-21)
RoHS Compliance — Compliant
AEC-Q101 Qualification — Qualified
Lead Plating — Pb-free
Marking Code — [DATA_NEEDED: top-side marking code]

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