BSS138L vs BSS138NH6327XTSA2 比較

詳細な並列比較: BSS138L メーカー: onsemi および BSS138NH6327XTSA2 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 - 60V N-Ch MOSFET 230mA SOT-23 | Infineon

BSS138NH6327XTSA2 - 60V N-Ch MOSFET 230mA SOT-23 | Infineon

BSS138NH6327XTSA2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSS138L BSS138NH6327XTSA2
ブランド onsemi Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.02 $0.15
Polarity N-Channel N-Channel
Operating Mode Enhancement Mode Enhancement
VDS Drain-Source Voltage 50 V —
Continuous Drain Current (Ta) 200 mA 230 mA
Power Dissipation (Ta) 350 mW 360 mW
RDS(on) Max 3.5 ohm —
Technology Trench MOSFET, high cell density —
Gate Type Logic Level —
パッケージ SOT-23-3 PG-SOT-23 (3-pin)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Configuration Single FET —
Switching Performance Fast switching, rugged, reliable —
入力容量 [DATA_NEEDED: Ciss] —
VGS Gate-Source Voltage [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Packaging 3000 units per reel (tape and reel) Tape and Reel
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] —
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 60 V
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 3.5 ohm
Gate Threshold V_GS(th) — [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value]
Gate-Source Voltage V_GS max — ±20 V
dv/dt Rated — Yes
ハロゲンフリー — Yes (per IEC 61249-2-21)
RoHS Compliance — Compliant
AEC-Q101 Qualification — Qualified
Lead Plating — Pb-free
Marking Code — [DATA_NEEDED: top-side marking code]

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