BTT60101ERBXUMA1 vs BTT62001ENAXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BTT60101ERBXUMA1 von Infineon und BTT62001ENAXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BTT60101ERBXUMA1 BTT62001ENAXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,24 $1,72
Product Type Smart High-Side Power Switch Smart High-Side Power Switch
Number of Channels 1 —
On-State Resistance (Typ) 10 mΩ —
Continuous Load Current 9 A 1.5 A
Supply Voltage Range 5 V to 36 V —
Reverse Battery Protection up to -36 V —
Betriebstemperaturbereich -40 °C to +150 °C —
Input Control Logic Active High —
Diagnostic Output Status pin (ST) and current sense (IS) Current Sense (IS) pin
Topologie N-Channel vertical MOSFET with charge pump 1:1 N-Channel High-Side
Process Technology Infineon Smart6 —
Gehäuse PG-TDSO-14-11 (SOIC-14-EP, Exposed Pad) PG-TDSO-8-31 (DSO-8 with exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Targeted Lamp Load 5 × P21W 24 V or 1 × H55W 12 V —
Compliance RoHS —
On-State Resistance (Ron) — 200 mΩ (typical)
Operating Voltage Range — 5 V to 48 V
Technology — Smart6 HV (N-channel vertical MOSFET with charge pump)
Protection Features — Overload, Short-Circuit, Over-Temperature, Over-Voltage, Reverse Battery
Lamp Drive Capability — 1 × R10W at 24 V or 1 × R5W at 12 V
Betriebstemperatur — -40 °C to +150 °C junction
MSL-Level — 2A (4 weeks)
ECCN — EAR99
REACH Status — REACH Unaffected

Datenblätter & Ressourcen

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