BTT60101ERBXUMA1 vs BTT62001ENAXUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BTT60101ERBXUMA1 제조: Infineon 및 BTT62001ENAXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BTT60101ERBXUMA1 BTT62001ENAXUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.24 $1.72
Product Type Smart High-Side Power Switch Smart High-Side Power Switch
Number of Channels 1 —
On-State Resistance (Typ) 10 mΩ —
Continuous Load Current 9 A 1.5 A
Supply Voltage Range 5 V to 36 V —
Reverse Battery Protection up to -36 V —
동작 온도 범위 -40 °C to +150 °C —
Input Control Logic Active High —
Diagnostic Output Status pin (ST) and current sense (IS) Current Sense (IS) pin
토폴로지 N-Channel vertical MOSFET with charge pump 1:1 N-Channel High-Side
Process Technology Infineon Smart6 —
패키지 PG-TDSO-14-11 (SOIC-14-EP, Exposed Pad) PG-TDSO-8-31 (DSO-8 with exposed pad)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Targeted Lamp Load 5 × P21W 24 V or 1 × H55W 12 V —
Compliance RoHS —
On-State Resistance (Ron) — 200 mΩ (typical)
Operating Voltage Range — 5 V to 48 V
Technology — Smart6 HV (N-channel vertical MOSFET with charge pump)
Protection Features — Overload, Short-Circuit, Over-Temperature, Over-Voltage, Reverse Battery
Lamp Drive Capability — 1 × R10W at 24 V or 1 × R5W at 12 V
동작 온도 — -40 °C to +150 °C junction
MSL 레벨 — 2A (4 weeks)
ECCN — EAR99
REACH Status — REACH Unaffected

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