BTT60101ERBXUMA1 vs BTT62001ENAXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BTT60101ERBXUMA1 par Infineon et BTT62001ENAXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BTT60101ERBXUMA1 BTT62001ENAXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,24 $1,72
Product Type Smart High-Side Power Switch Smart High-Side Power Switch
Number of Channels 1 —
On-State Resistance (Typ) 10 mΩ —
Continuous Load Current 9 A 1.5 A
Supply Voltage Range 5 V to 36 V —
Reverse Battery Protection up to -36 V —
Plage de température de fonctionnement -40 °C to +150 °C —
Input Control Logic Active High —
Diagnostic Output Status pin (ST) and current sense (IS) Current Sense (IS) pin
Topologie N-Channel vertical MOSFET with charge pump 1:1 N-Channel High-Side
Process Technology Infineon Smart6 —
Boîtier PG-TDSO-14-11 (SOIC-14-EP, Exposed Pad) PG-TDSO-8-31 (DSO-8 with exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Targeted Lamp Load 5 × P21W 24 V or 1 × H55W 12 V —
Compliance RoHS —
On-State Resistance (Ron) — 200 mΩ (typical)
Operating Voltage Range — 5 V to 48 V
Technology — Smart6 HV (N-channel vertical MOSFET with charge pump)
Protection Features — Overload, Short-Circuit, Over-Temperature, Over-Voltage, Reverse Battery
Lamp Drive Capability — 1 × R10W at 24 V or 1 × R5W at 12 V
Température de fonctionnement — -40 °C to +150 °C junction
Niveau MSL — 2A (4 weeks)
ECCN — EAR99
REACH Status — REACH Unaffected

Fiches techniques et ressources

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