BTT60101ERBXUMA1 vs BTT62001ENAXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BTT60101ERBXUMA1 por Infineon y BTT62001ENAXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BTT60101ERBXUMA1 BTT62001ENAXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,24 $1,72
Product Type Smart High-Side Power Switch Smart High-Side Power Switch
Number of Channels 1 —
On-State Resistance (Typ) 10 mΩ —
Continuous Load Current 9 A 1.5 A
Supply Voltage Range 5 V to 36 V —
Reverse Battery Protection up to -36 V —
Rango de temperatura de funcionamiento -40 °C to +150 °C —
Input Control Logic Active High —
Diagnostic Output Status pin (ST) and current sense (IS) Current Sense (IS) pin
Topología N-Channel vertical MOSFET with charge pump 1:1 N-Channel High-Side
Process Technology Infineon Smart6 —
Encapsulado PG-TDSO-14-11 (SOIC-14-EP, Exposed Pad) PG-TDSO-8-31 (DSO-8 with exposed pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Targeted Lamp Load 5 × P21W 24 V or 1 × H55W 12 V —
Compliance RoHS —
On-State Resistance (Ron) — 200 mΩ (typical)
Operating Voltage Range — 5 V to 48 V
Technology — Smart6 HV (N-channel vertical MOSFET with charge pump)
Protection Features — Overload, Short-Circuit, Over-Temperature, Over-Voltage, Reverse Battery
Lamp Drive Capability — 1 × R10W at 24 V or 1 × R5W at 12 V
Temperatura de funcionamiento — -40 °C to +150 °C junction
Nivel MSL — 2A (4 weeks)
ECCN — EAR99
REACH Status — REACH Unaffected

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