FDD8896-F085 vs FDD8896 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von FDD8896-F085 von onsemi und FDD8896 von onsemi. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter FDD8896-F085 FDD8896
Marke onsemi onsemi
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Obsolete Ende des Lebenszyklus
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,32 $0,62
Manufacturer onsemi (Fairchild Semiconductor) Fairchild Semiconductor (now onsemi)
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology PowerTrench (Trench-Gate) PowerTrench (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 94 A —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 17 A —
Rds(on) Max at Vgs=10V 5.7 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 80 W —
Gate-Source Voltage (Vgs) Max 20 V [DATA_NEEDED: Vgs Max]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) Typ 2.0 V —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (Tj) —
Gehäuse TO-252 (DPAK) TO-252 (DPAK), 3-Pin (2+Tab)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source) 3
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS / Halogen-Free Status Compliant / Halogen-Free —
Lead-Free Yes —
MSL-Level 1 —
Transistortyp — N-Channel PowerTrench MOSFET
Continuous Drain Current (Id) at Ta — 17 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 94 A
Drain-Source On-Resistance (rDS(ON)) — 5.7 mOhm
Power Dissipation (Pd) at Tc — 80 W
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Gate Charge]
Configuration — Single FET
Typical Application — DC/DC converters, synchronous PWM controllers
Packing — Tape & Reel (T/R)

Datenblätter & Ressourcen

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