FDD8896-F085 vs FDD8896 比較

詳細な並列比較: FDD8896-F085 メーカー: onsemi および FDD8896 メーカー: onsemi。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ FDD8896-F085 FDD8896
ブランド onsemi onsemi
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 Obsolete 製造終了
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.32 $0.62
Manufacturer onsemi (Fairchild Semiconductor) Fairchild Semiconductor (now onsemi)
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology PowerTrench (Trench-Gate) PowerTrench (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 94 A —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 17 A —
Rds(on) Max at Vgs=10V 5.7 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 80 W —
Gate-Source Voltage (Vgs) Max 20 V [DATA_NEEDED: Vgs Max]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) Typ 2.0 V —
動作温度範囲 -55C to +150C (Tj) —
パッケージ TO-252 (DPAK) TO-252 (DPAK), 3-Pin (2+Tab)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 (Gate, Drain, Source) 3
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS / Halogen-Free Status Compliant / Halogen-Free —
Lead-Free Yes —
MSLレベル 1 —
トランジスタタイプ — N-Channel PowerTrench MOSFET
Continuous Drain Current (Id) at Ta — 17 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 94 A
Drain-Source On-Resistance (rDS(ON)) — 5.7 mOhm
Power Dissipation (Pd) at Tc — 80 W
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Gate Charge]
Configuration — Single FET
Typical Application — DC/DC converters, synchronous PWM controllers
Packing — Tape & Reel (T/R)

データシート&リソース

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