FDD8896-F085 vs FDD8896 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de FDD8896-F085 por onsemi e FDD8896 por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro FDD8896-F085 FDD8896
Marca onsemi onsemi
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Obsolete Fim de vida
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,32 $0,62
Manufacturer onsemi (Fairchild Semiconductor) Fairchild Semiconductor (now onsemi)
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology PowerTrench (Trench-Gate) PowerTrench (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 94 A —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 17 A —
Rds(on) Max at Vgs=10V 5.7 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 80 W —
Gate-Source Voltage (Vgs) Max 20 V [DATA_NEEDED: Vgs Max]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) Typ 2.0 V —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (Tj) —
Encapsulamento TO-252 (DPAK) TO-252 (DPAK), 3-Pin (2+Tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) 3
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS / Halogen-Free Status Compliant / Halogen-Free —
Lead-Free Yes —
Nível MSL 1 —
Tipo de transistor — N-Channel PowerTrench MOSFET
Continuous Drain Current (Id) at Ta — 17 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 94 A
Drain-Source On-Resistance (rDS(ON)) — 5.7 mOhm
Power Dissipation (Pd) at Tc — 80 W
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Gate Charge]
Configuration — Single FET
Typical Application — DC/DC converters, synchronous PWM controllers
Packing — Tape & Reel (T/R)

Fichas técnicas e recursos

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