FDD8896-F085 vs FDD8896 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de FDD8896-F085 par onsemi et FDD8896 par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | FDD8896-F085 | FDD8896 |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | onsemi |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Obsolete | Fin de vie |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,32 | $0,62 |
| Manufacturer | onsemi (Fairchild Semiconductor) | Fairchild Semiconductor (now onsemi) |
| FET Type | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | PowerTrench (Trench-Gate) | PowerTrench (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 94 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | 17 A | — |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | 5.7 mOhm | — |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 80 W | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) Max | 20 V | [DATA_NEEDED: Vgs Max] |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) Typ | 2.0 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (Tj) | — |
| Boîtier | TO-252 (DPAK) | TO-252 (DPAK), 3-Pin (2+Tab) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| RoHS / Halogen-Free Status | Compliant / Halogen-Free | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Niveau MSL | 1 | — |
| Type de transistor | — | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | — | 17 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 94 A |
| Drain-Source On-Resistance (rDS(ON)) | — | 5.7 mOhm |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 80 W |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Gate Charge] |
| Configuration | — | Single FET |
| Typical Application | — | DC/DC converters, synchronous PWM controllers |
| Packing | — | Tape & Reel (T/R) |