FDD8896 vs FDD8880 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von FDD8896 von onsemi und FDD8880 von onsemi. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

onsemi
FDD8880 FDD8880 - 30V 58A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi

FDD8880 - 30V 58A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi

FDD8880 ⚠ Letzte Bestellmöglichkeit

Spezifikationsvergleich

Parameter FDD8896 FDD8880
Marke onsemi onsemi
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Ende des Lebenszyklus Letzte Kaufgelegenheit
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,62 $0,68
Transistortyp N-Channel PowerTrench MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta 17 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 94 A —
Drain-Source On-Resistance (rDS(ON)) 5.7 mOhm —
Power Dissipation (Pd) at Tc 80 W —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Gate Charge] [DATA_NEEDED: gate charge]
Gate-Source Voltage (Vgs) Max [DATA_NEEDED: Vgs Max] —
Technology PowerTrench (trench MOSFET) PowerTrench
Montageart Surface Mount Surface Mount
Gehäuse TO-252 (DPAK), 3-Pin (2+Tab) TO-252AA (DPAK)
Pin-Anzahl 3 —
Configuration Single FET Single FET
Typical Application DC/DC converters, synchronous PWM controllers —
Manufacturer Fairchild Semiconductor (now onsemi) —
Packing Tape & Reel (T/R) —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) — 13 A (Ta), 58 A (Tc)
On-Resistance (rDS(on)) — 9 mOhm max
Total Power Dissipation (PD) — 55 W (Tc)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Threshold Voltage (VGS th) — [DATA_NEEDED: threshold voltage]
Betriebstemperaturbereich — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Thermal Resistance (RthJA) — [DATA_NEEDED: thermal resistance]
RoHS-Status — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lebenszyklusstatus — Last Shipments

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern