FDD8896 vs FDD8880 比較

詳細な並列比較: FDD8896 メーカー: onsemi および FDD8880 メーカー: onsemi。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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FDD8880 FDD8880 - 30V 58A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi

FDD8880 - 30V 58A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi

FDD8880 ⚠ ラストタイムバイ

仕様比較

パラメータ FDD8896 FDD8880
ブランド onsemi onsemi
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 製造終了 ラストバイ
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.62 $0.68
トランジスタタイプ N-Channel PowerTrench MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta 17 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 94 A —
Drain-Source On-Resistance (rDS(ON)) 5.7 mOhm —
Power Dissipation (Pd) at Tc 80 W —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Gate Charge] [DATA_NEEDED: gate charge]
Gate-Source Voltage (Vgs) Max [DATA_NEEDED: Vgs Max] —
Technology PowerTrench (trench MOSFET) PowerTrench
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
パッケージ TO-252 (DPAK), 3-Pin (2+Tab) TO-252AA (DPAK)
ピン数 3 —
Configuration Single FET Single FET
Typical Application DC/DC converters, synchronous PWM controllers —
Manufacturer Fairchild Semiconductor (now onsemi) —
Packing Tape & Reel (T/R) —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) — 13 A (Ta), 58 A (Tc)
On-Resistance (rDS(on)) — 9 mOhm max
Total Power Dissipation (PD) — 55 W (Tc)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Threshold Voltage (VGS th) — [DATA_NEEDED: threshold voltage]
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Thermal Resistance (RthJA) — [DATA_NEEDED: thermal resistance]
RoHS ステータス — [DATA_NEEDED: RoHS status]
ライフサイクル状態 — Last Shipments

データシート&リソース

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