FDD8896 vs FDD8880 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de FDD8896 por onsemi e FDD8880 por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

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FDD8880 FDD8880 - 30V 58A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi

FDD8880 - 30V 58A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi

FDD8880 ⚠ Última compra

Comparação de especificações

Parâmetro FDD8896 FDD8880
Marca onsemi onsemi
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Fim de vida Última compra
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,62 $0,68
Tipo de transistor N-Channel PowerTrench MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta 17 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 94 A —
Drain-Source On-Resistance (rDS(ON)) 5.7 mOhm —
Power Dissipation (Pd) at Tc 80 W —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Gate Charge] [DATA_NEEDED: gate charge]
Gate-Source Voltage (Vgs) Max [DATA_NEEDED: Vgs Max] —
Technology PowerTrench (trench MOSFET) PowerTrench
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Encapsulamento TO-252 (DPAK), 3-Pin (2+Tab) TO-252AA (DPAK)
Contagem de pinos 3 —
Configuration Single FET Single FET
Typical Application DC/DC converters, synchronous PWM controllers —
Manufacturer Fairchild Semiconductor (now onsemi) —
Packing Tape & Reel (T/R) —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) — 13 A (Ta), 58 A (Tc)
On-Resistance (rDS(on)) — 9 mOhm max
Total Power Dissipation (PD) — 55 W (Tc)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Threshold Voltage (VGS th) — [DATA_NEEDED: threshold voltage]
Faixa de temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Thermal Resistance (RthJA) — [DATA_NEEDED: thermal resistance]
Status RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Status do ciclo de vida — Last Shipments

Fichas técnicas e recursos

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