FDD8896 vs FDD8880 Comparación

Comparación detallada lado a lado de FDD8896 por onsemi y FDD8880 por onsemi. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

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FDD8880 FDD8880 - 30V 58A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi

FDD8880 - 30V 58A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi

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Comparación de especificaciones

Parámetro FDD8896 FDD8880
Marca onsemi onsemi
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Fin de vida Última compra
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,62 $0,68
Tipo de transistor N-Channel PowerTrench MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta 17 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 94 A —
Drain-Source On-Resistance (rDS(ON)) 5.7 mOhm —
Power Dissipation (Pd) at Tc 80 W —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Gate Charge] [DATA_NEEDED: gate charge]
Gate-Source Voltage (Vgs) Max [DATA_NEEDED: Vgs Max] —
Technology PowerTrench (trench MOSFET) PowerTrench
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Encapsulado TO-252 (DPAK), 3-Pin (2+Tab) TO-252AA (DPAK)
Recuento de pines 3 —
Configuration Single FET Single FET
Typical Application DC/DC converters, synchronous PWM controllers —
Manufacturer Fairchild Semiconductor (now onsemi) —
Packing Tape & Reel (T/R) —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) — 13 A (Ta), 58 A (Tc)
On-Resistance (rDS(on)) — 9 mOhm max
Total Power Dissipation (PD) — 55 W (Tc)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Threshold Voltage (VGS th) — [DATA_NEEDED: threshold voltage]
Rango de temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Thermal Resistance (RthJA) — [DATA_NEEDED: thermal resistance]
Estado RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Estado del ciclo de vida — Last Shipments

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