FDD8896 vs FDD8880 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de FDD8896 par onsemi et FDD8880 par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

onsemi
FDD8880 FDD8880 - 30V 58A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi

FDD8880 - 30V 58A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi

FDD8880 ⚠ Dernier achat

Comparaison des spécifications

Paramètre FDD8896 FDD8880
Marque onsemi onsemi
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Fin de vie Dernier achat
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,62 $0,68
Type de transistor N-Channel PowerTrench MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta 17 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 94 A —
Drain-Source On-Resistance (rDS(ON)) 5.7 mOhm —
Power Dissipation (Pd) at Tc 80 W —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Gate Charge] [DATA_NEEDED: gate charge]
Gate-Source Voltage (Vgs) Max [DATA_NEEDED: Vgs Max] —
Technology PowerTrench (trench MOSFET) PowerTrench
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Boîtier TO-252 (DPAK), 3-Pin (2+Tab) TO-252AA (DPAK)
Nombre de broches 3 —
Configuration Single FET Single FET
Typical Application DC/DC converters, synchronous PWM controllers —
Manufacturer Fairchild Semiconductor (now onsemi) —
Packing Tape & Reel (T/R) —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) — 13 A (Ta), 58 A (Tc)
On-Resistance (rDS(on)) — 9 mOhm max
Total Power Dissipation (PD) — 55 W (Tc)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Threshold Voltage (VGS th) — [DATA_NEEDED: threshold voltage]
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Thermal Resistance (RthJA) — [DATA_NEEDED: thermal resistance]
Statut RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Statut du cycle de vie — Last Shipments

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis