FODM217AR2 vs FODM217A Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von FODM217AR2 von onsemi und FODM217A von onsemi. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter FODM217AR2 FODM217A
Marke onsemi onsemi
Kategorie Optocouplers Optocouplers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,21 $0,31
Part Number FODM217AR2 —
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) —
Device Type Single-Channel DC-Sensing Phototransistor Optocoupler —
Ausgangskonfiguration Transistor (phototransistor, single channel) —
Number of Channels 1 —
Input Type DC sensing DC Sensing
Gehäuse 4-SOP / MFP-4 (half-pitch mini-flat, 1.27 mm pitch) 4-SOP (Half-Pitch Mini-Flat)
Isolation Voltage (VISO) 3750 Vrms (per UL 1577) 3,750 VACrms
Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) 80 V maximum —
Kollektorstrom (Ic) 50 mA maximum —
Forward Current (IF) 50 mA maximum —
Forward Voltage (VF) 1.2 V typical at IF=10 mA —
VCE(SAT) 0.4 V maximum at IC=2.4 mA, IF=8 mA —
Current Transfer Ratio (CTR) 50% to 600% at IF=5 mA, VCE=5 V —
Response Time (tr / tf) 4 us / 3 us typical —
Betriebstemperatur -40 C to +110 C —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
UL Recognition UL 1577 recognized (File E90700) —
MSL-Level 1 per IPC/JEDEC J-STD-020 —
Channel Count — 1
Ausgangstyp — Phototransistor
Anzahl der Pins — 4
Emitter Material — Gallium Arsenide (GaAs) Infrared LED
Detector Type — Silicon Phototransistor
Betriebstemperaturbereich — -40 C to +110 C
Forward Voltage (VF) Typical — 1.2 V at IF = 10 mA
Reverse Voltage (VR) Maximum — 6 V
Collector-Emitter Voltage (VCEO) Maximum — 80 V
Emitter-Base Voltage (VEBO) Maximum — 7 V
Collector Current (IC) Maximum — 50 mA

Datenblätter & Ressourcen

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