FODM217AR2 vs FODM217A Comparación

Comparación detallada lado a lado de FODM217AR2 por onsemi y FODM217A por onsemi. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro FODM217AR2 FODM217A
Marca onsemi onsemi
Categoría Optocouplers Optocouplers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,21 $0,31
Part Number FODM217AR2 —
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) —
Device Type Single-Channel DC-Sensing Phototransistor Optocoupler —
Configuración de salida Transistor (phototransistor, single channel) —
Number of Channels 1 —
Input Type DC sensing DC Sensing
Encapsulado 4-SOP / MFP-4 (half-pitch mini-flat, 1.27 mm pitch) 4-SOP (Half-Pitch Mini-Flat)
Isolation Voltage (VISO) 3750 Vrms (per UL 1577) 3,750 VACrms
Tensión colector-emisor (Vceo) 80 V maximum —
Corriente de colector (Ic) 50 mA maximum —
Forward Current (IF) 50 mA maximum —
Forward Voltage (VF) 1.2 V typical at IF=10 mA —
VCE(SAT) 0.4 V maximum at IC=2.4 mA, IF=8 mA —
Current Transfer Ratio (CTR) 50% to 600% at IF=5 mA, VCE=5 V —
Response Time (tr / tf) 4 us / 3 us typical —
Temperatura de funcionamiento -40 C to +110 C —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
UL Recognition UL 1577 recognized (File E90700) —
Nivel MSL 1 per IPC/JEDEC J-STD-020 —
Channel Count — 1
Tipo de salida — Phototransistor
Número de pines — 4
Emitter Material — Gallium Arsenide (GaAs) Infrared LED
Detector Type — Silicon Phototransistor
Rango de temperatura de funcionamiento — -40 C to +110 C
Forward Voltage (VF) Typical — 1.2 V at IF = 10 mA
Reverse Voltage (VR) Maximum — 6 V
Collector-Emitter Voltage (VCEO) Maximum — 80 V
Emitter-Base Voltage (VEBO) Maximum — 7 V
Collector Current (IC) Maximum — 50 mA

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