FODM217AR2 vs FODM217A Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de FODM217AR2 par onsemi et FODM217A par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre FODM217AR2 FODM217A
Marque onsemi onsemi
Catégorie Optocouplers Optocouplers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,21 $0,31
Part Number FODM217AR2 —
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) —
Device Type Single-Channel DC-Sensing Phototransistor Optocoupler —
Configuration de sortie Transistor (phototransistor, single channel) —
Number of Channels 1 —
Input Type DC sensing DC Sensing
Boîtier 4-SOP / MFP-4 (half-pitch mini-flat, 1.27 mm pitch) 4-SOP (Half-Pitch Mini-Flat)
Isolation Voltage (VISO) 3750 Vrms (per UL 1577) 3,750 VACrms
Tension collecteur-émetteur (Vceo) 80 V maximum —
Courant de collecteur (Ic) 50 mA maximum —
Forward Current (IF) 50 mA maximum —
Forward Voltage (VF) 1.2 V typical at IF=10 mA —
VCE(SAT) 0.4 V maximum at IC=2.4 mA, IF=8 mA —
Current Transfer Ratio (CTR) 50% to 600% at IF=5 mA, VCE=5 V —
Response Time (tr / tf) 4 us / 3 us typical —
Température de fonctionnement -40 C to +110 C —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
UL Recognition UL 1577 recognized (File E90700) —
Niveau MSL 1 per IPC/JEDEC J-STD-020 —
Channel Count — 1
Type de sortie — Phototransistor
Nombre de broches — 4
Emitter Material — Gallium Arsenide (GaAs) Infrared LED
Detector Type — Silicon Phototransistor
Plage de température de fonctionnement — -40 C to +110 C
Forward Voltage (VF) Typical — 1.2 V at IF = 10 mA
Reverse Voltage (VR) Maximum — 6 V
Collector-Emitter Voltage (VCEO) Maximum — 80 V
Emitter-Base Voltage (VEBO) Maximum — 7 V
Collector Current (IC) Maximum — 50 mA

Fiches techniques et ressources

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