FODM217AR2 vs FODM217A Comparação

Comparação detalhada lado a lado de FODM217AR2 por onsemi e FODM217A por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro FODM217AR2 FODM217A
Marca onsemi onsemi
Categoria Optocouplers Optocouplers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,21 $0,31
Part Number FODM217AR2 —
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) —
Device Type Single-Channel DC-Sensing Phototransistor Optocoupler —
Configuração de saída Transistor (phototransistor, single channel) —
Number of Channels 1 —
Input Type DC sensing DC Sensing
Encapsulamento 4-SOP / MFP-4 (half-pitch mini-flat, 1.27 mm pitch) 4-SOP (Half-Pitch Mini-Flat)
Isolation Voltage (VISO) 3750 Vrms (per UL 1577) 3,750 VACrms
Tensão coletor-emissor (Vceo) 80 V maximum —
Corrente de coletor (Ic) 50 mA maximum —
Forward Current (IF) 50 mA maximum —
Forward Voltage (VF) 1.2 V typical at IF=10 mA —
VCE(SAT) 0.4 V maximum at IC=2.4 mA, IF=8 mA —
Current Transfer Ratio (CTR) 50% to 600% at IF=5 mA, VCE=5 V —
Response Time (tr / tf) 4 us / 3 us typical —
Temperatura de operação -40 C to +110 C —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
UL Recognition UL 1577 recognized (File E90700) —
Nível MSL 1 per IPC/JEDEC J-STD-020 —
Channel Count — 1
Tipo de saída — Phototransistor
Número de pinos — 4
Emitter Material — Gallium Arsenide (GaAs) Infrared LED
Detector Type — Silicon Phototransistor
Faixa de temperatura de operação — -40 C to +110 C
Forward Voltage (VF) Typical — 1.2 V at IF = 10 mA
Reverse Voltage (VR) Maximum — 6 V
Collector-Emitter Voltage (VCEO) Maximum — 80 V
Emitter-Base Voltage (VEBO) Maximum — 7 V
Collector Current (IC) Maximum — 50 mA

Fichas técnicas e recursos

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