FODM217AR2 vs FODM217A 비교
다음의 상세 나란히 비교: FODM217AR2 제조: onsemi 및 FODM217A 제조: onsemi. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | FODM217AR2 | FODM217A |
|---|---|---|
| 브랜드 | onsemi | onsemi |
| 카테고리 | Optocouplers | Optocouplers |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.21 | $0.31 |
| Part Number | FODM217AR2 | — |
| Manufacturer | onsemi (ON Semiconductor) | — |
| Device Type | Single-Channel DC-Sensing Phototransistor Optocoupler | — |
| 출력 구성 | Transistor (phototransistor, single channel) | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Input Type | DC sensing | DC Sensing |
| 패키지 | 4-SOP / MFP-4 (half-pitch mini-flat, 1.27 mm pitch) | 4-SOP (Half-Pitch Mini-Flat) |
| Isolation Voltage (VISO) | 3750 Vrms (per UL 1577) | 3,750 VACrms |
| 컬렉터-이미터 전압 (Vceo) | 80 V maximum | — |
| 컬렉터 전류 (Ic) | 50 mA maximum | — |
| Forward Current (IF) | 50 mA maximum | — |
| Forward Voltage (VF) | 1.2 V typical at IF=10 mA | — |
| VCE(SAT) | 0.4 V maximum at IC=2.4 mA, IF=8 mA | — |
| Current Transfer Ratio (CTR) | 50% to 600% at IF=5 mA, VCE=5 V | — |
| Response Time (tr / tf) | 4 us / 3 us typical | — |
| 동작 온도 | -40 C to +110 C | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| UL Recognition | UL 1577 recognized (File E90700) | — |
| MSL 레벨 | 1 per IPC/JEDEC J-STD-020 | — |
| Channel Count | — | 1 |
| 출력 유형 | — | Phototransistor |
| 핀 수 | — | 4 |
| Emitter Material | — | Gallium Arsenide (GaAs) Infrared LED |
| Detector Type | — | Silicon Phototransistor |
| 동작 온도 범위 | — | -40 C to +110 C |
| Forward Voltage (VF) Typical | — | 1.2 V at IF = 10 mA |
| Reverse Voltage (VR) Maximum | — | 6 V |
| Collector-Emitter Voltage (VCEO) Maximum | — | 80 V |
| Emitter-Base Voltage (VEBO) Maximum | — | 7 V |
| Collector Current (IC) Maximum | — | 50 mA |