H5AN8G6NAFR-UHC vs K4A8G085WB-BIWE Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NAFR-UHC von SK hynix und K4A8G085WB-BIWE von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | H5AN8G6NAFR-UHC | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $5,74 | $6,50 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | — |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V |
| Datenrate | 2400 MT/s | 3200 Mbps |
| Gehäuse | FBGA-96 | 78-FBGA |
| Betriebstemperatur | 0°C to +85°C | 0°C to +85°C |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Halogenfrei | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| Refresh | Auto self-refresh | Auto-refresh, self-refresh |
| Speichergröße | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| RoHS-Status | — | Compliant |