H5AN8G6NAFR-UHC vs K4A8G085WB-BIWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G6NAFR-UHC por SK hynix y K4A8G085WB-BIWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G6NAFR-UHC | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $5,74 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Velocidad de datos | 2400 MT/s | 3200 Mbps |
| Encapsulado | FBGA-96 | 78-FBGA |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +85°C | 0°C to +85°C |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sin halógenos | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| Refresh | Auto self-refresh | Auto-refresh, self-refresh |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Estado RoHS | — | Compliant |