H5AN8G6NAFR-UHC vs K4A8G085WB-BIWE Comparação
Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G6NAFR-UHC por SK hynix e K4A8G085WB-BIWE por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | H5AN8G6NAFR-UHC | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $5,74 | $6,50 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organização da memória | 512M x 16 | — |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | 1.2 V |
| Taxa de dados | 2400 MT/s | 3200 Mbps |
| Encapsulamento | FBGA-96 | 78-FBGA |
| Temperatura de operação | 0°C to +85°C | 0°C to +85°C |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Livre de halogênio | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| Refresh | Auto self-refresh | Auto-refresh, self-refresh |
| Tamanho da memória | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Status RoHS | — | Compliant |