H5AN8G6NAFR-UHC vs K4A8G085WB-BIWE 比較
詳細な並列比較: H5AN8G6NAFR-UHC メーカー: SK hynix および K4A8G085WB-BIWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | H5AN8G6NAFR-UHC | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $5.74 | $6.50 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| メモリ構成 | 512M x 16 | — |
| 電源電圧 | 1.2 V | 1.2 V |
| データレート | 2400 MT/s | 3200 Mbps |
| パッケージ | FBGA-96 | 78-FBGA |
| 動作温度 | 0°C to +85°C | 0°C to +85°C |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ハロゲンフリー | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| Refresh | Auto self-refresh | Auto-refresh, self-refresh |
| メモリサイズ | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| RoHS ステータス | — | Compliant |